Kòm adopsyon de aparèy pouvwa carbure Silisyòm (SiC) kontinye ap monte nan sektè tankou machin enèji nouvo, depo enèji fotovoltaik, ak sistèm pouvwa endistriyèl, fyab rete yon enkyetid kle pou endistri a. Soti nan mank inisyal egzijans espesifik pou SiC nan spesifikasyon AEC-Q101 E nan 2021, nan entwodiksyon ki vin apre a nan solisyon fyab entèn pa dirijan manifaktirè tankou Infineon ak ON Semiconductor, ak amelyorasyon nan 2025 nan estanda AQG-324, pouswit endistri a amelyore fyab aparèy SiC pa janm sispann.
Nan mwa jen 2026, JEDEC (Solid State Technology Association) te fè yon mouvman inogirasyon lè li te pibliye ofisyèlman dokiman teknik JEP204, ki gen tit "Katalòg Pwosedi Estrès pou Aparèy Silisyòm Carbide pou Konvèsyon Elektwonik Pouvwa." Devlope pa JC-70 Wide Bandgap Semiconductor Komite a, dokiman sa a sistematikman dokimante tout tès estrès obligatwa pou tranzistò SiC ak dyod, bay yon plan verifikasyon fyab klè pou tout chèn endistri a.
Ki sa JEP204 kouvri?
JEP204 kategorize tès estrès nan aparèy pouvwa SiC nan senk gwo kalite, ki kouvri tout spectre soti nan chips nan anbalaj. Li rezime sistematikman mekanis echèk yo, kondisyon estrès (egzanp, tanperati, imidite, pouvwa, frekans), ak konsiderasyon kle pou chak tès. Anplis de sa, li dekri pwopriyete materyèl SiC, kondisyon ekipman yo, paramèt siveyans pou tès espesifik, ak pwosedi fen--tès yo.
Koulye a, ann revize kontni tès la rezime pa JEP204:
Tanperati/pati{0}}tès estrès ki gen rapò; Anviwònman-tès estrès ki gen rapò;
Robuste
-
ki gen rapò
tès; Anbalaj-tès estrès ki gen rapò