MOS, Li se yon abrevyasyon pou MOSFET. Non konplè a se oksid metal Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET). Fonksyon ki pi fondamantal ak souvan itilize nan MOSFET se kontwole limen ak koupe ant S ak D lè w aplike vòltaj nan nivo G, epi li se souvan itilize kòm yon switch elektwonik.
Estrikti debaz tranzistò MOS
MOS sitou gen karakteristik sa yo:
1. Segondè enpedans opinyon pou vòltaj pòtay la, ak pòtay la tranzistò MOS gen yon oksid fim posibilite, men pòtay la fasil kraze pa elektrisite estatik ak vòltaj segondè, Lè sa a, sa ki lakòz domaj irevokabl.
2. Ba sou rezistans, ki kapab reyalize nivo milliohm ak pèt ki ba.
3. Vitès chanje vit ak pèt switch ki ba.
Pwensipal paramèt karakteristik elektrik ak rezilta tès aktyèl MOS
Karakteristik prensipal paramèt elektrik MOS
Dapre karakteristik MOS, paramèt karakteristik elektrik ki pi konsène yo nan itilizasyon MOS yo se jan sa a:
• BVDSS (sous drenaj pann vòltaj)
Itilize pou evalye rezistans vòltaj ant DS. Pou gwo pouvwa MOS, vòltaj reziste ant DS anjeneral oblije nan nivo kilovolt. Lè w ap itilize PROBE pou tès nivo wafer, izolasyon fliyò lwil oliv pwoteksyon anjeneral yo itilize pou anpeche domaj ki te koze pa pann lè sou sifas chip la.
• IDSS (Sous Leakage Current)
Kouran an flit lè kanal DS la fèmen ak pèt DS MOS nan eta ki pa travay yo anjeneral nan nivo uA.
• IGSS (Gate Leakage Current)
Kouran flit la ap koule tankou dlo nan pòtay la anba yon sèten vòltaj pòtay.
• Vth (Treshold vòltaj)
Vòltaj pòtay kote drenaj la kòmanse gen kouran.
• RDS (sou) (sou rezistans)
Rezistans kondiksyon ant DS gen rapò ak pèt transmisyon MOS lè li limen. Pi gwo RDS la (sou), pi gwo pèt MOS la. RDS (sou) se nòmalman nan nivo m Ω. Lè w ap itilize PROBE pou tès wafer, yo itilize yon anviwònman tès kat fil ant DS pou elimine enfliyans pwòp rezistans sond metal la. Pou tès la nan MOS gwo pouvwa, yo itilize sond gwo pouvwa, ak aktyèl la enstantane ka rive nan nivo san anpè.
Anjeneral yo itilize pou fè kouran ranvèse soti nan charj endiktif.
• Ciss (kondansateur antre)
Ciss konpoze de koneksyon paralèl nan kapasite drenaj pòtay Cgd ak kapasite sous pòtay Cgs. Sikwi kondwi a ak Ciss gen yon enpak dirèk sou delè aparèy la vire epi fèmen.
• Coss (kondansateur pwodiksyon)
Coss konpoze de yon kondansateur sous drenaj Cds ak yon kondansateur drenaj pòtay Cgd konekte nan paralèl, ki ka lakòz sonorite nan kous la.
• Crss (kondansateur transfè ranvèse)
Kapasite transfè ranvèse a ekivalan a kapasite drenaj pòtay Cgd, ke yo rele tou Miller kapasite, epi li se youn nan paramèt enpòtan pou tan monte ak tonbe nan switch la, ki afekte tan an reta fèmen. Kapasite nan tranzistò MOS diminye ak ogmantasyon nan vòltaj sous drenaj, espesyalman kapasite pwodiksyon an ak kapasite transmisyon ranvèse.
Qgs, Qgd, Qg- gate chaj
Valè chaj pòtay la reflete chaj ki estoke sou kapasite ant tèminal yo. Nan moman sa a nan chanje, chaj la ki estoke nan pòtay la chanje ak vòltaj la, ak enfliyans nan chaj pòtay yo souvan konsidere lè konsepsyon sikui kondwi pòtay.
Koub karakteristik pwodiksyon an
Relasyon ID-VDS ant aktyèl la ap koule tankou dlo nan drenaj la ak vòltaj la aplike ant drenaj la ak sous anba diferan VGS.
Transfè Karakteristik Koub
Relasyon ki genyen ant kouran drenaj la ak vòltaj sous pòtay (ID-VGS) nan rejyon saturation yon tranzistò MOS anba yon sèten VDS.
GRGTEST MOS karakteristik elektrik paramèt tès kapasite
GRGTEST ekipe ak yon enstriman grafik gwo pouvwa ak platfòm tès sond, ki ka fè tès paramèt karakteristik elektrik sou tranzistò MOS nan nivo pake ak nivo wafer (anvan anbalaj ak apre ouvèti).
Anviwònman tès devwe MOS ekipe nan GRGTEST ki ka reyalize yon maksimòm vòltaj drenaj sous 3kV (HVSMU, modil vòltaj segondè), yon aktyèl maksimòm 1.5kA (UHCU, modil aktyèl segondè), yon vòltaj maksimòm pòtay 100V, yon presizyon aktyèl. nan 10fA, ak yon presizyon vòltaj nan 25 μ V. Pou tès paramèt dinamik, ranje frekans lan ka rive nan 1kHz ~ 1MHz, ak MOS karakteristik ranje tès kapasite ka rive nan 100fF ~ 1 μ F.
Platfòm tès sonde